光耦驱动mos管电路,光耦控制mos管开关电路

这个12v3.2A的开关电源,芯片炸了,大家能看看是什么型号?集成了MOS的8脚直插芯片,1脚接地,2和4脚间有个220欧电阻,3脚经过一个680K的启动电阻接310V电源,4脚接光耦,5脚经一个0.62欧电流检测电阻接地,6、7、8脚并接接到开关度压器线圈,求大神指点是什么型号的芯。

1、使用光耦设计一种配合单片机的检测电路,

MOS管部分模拟有漏电情况存在400uA左右(该mos管模拟该电路检测其他电路系统功能),想在P2.0网络检测到高电平或者低电平两种情况。单片机为3.3Vmos管是模拟被检测电路通或断的两种情况,在断开的情况下存在400uA左右的漏电估计是你的MOS管有问题,不然漏电流不该这么大。可以通过这样几个方案解决:1、更换MOS管。

2、问下各位电子发烧友驱动MOS栅极直接用光耦可以不为啥还要用专业驱动...

MOS管驱动需要对栅极快充快放电,以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管,驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外,光耦驱动负载能力有限,大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。

3、光耦驱动电路原理

原理都是一样的,给个低电平,T1就导通,电流通过5V电源,T1的E和C,电阻R2,光耦的发光二极管,到地,发光二极管因为有电流通过而发光,致使三极管接收端导通,电源VCC通过R3,IC1的三极管端,到地。光耦电路的工作原理及实例。光耦驱动电路原理:电流通过5V电源,送低电平到发光二极管,因为有电流通过而发光,电阻R2,T1就导通,T1的E和C,到地,光耦的发光二极管,电源VCC通过R3,到地,致使三极管接收端导通。

4、单片机驱动mos管电路

这种用变压器升压的办法是不可行的,很难得到你要的电压和波形,原因你自己找开关电源方面的书就知道了。建议用dcdc把18v电压变为60v,然后单片机加一级三极管驱动或光耦,再驱动一个mos管对60v电压进行开关就可以了,单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。

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